भारत सरकार अगले दशक में अत्याधुनिक सेमीकंडक्टर निर्माण की दिशा में एक बड़ा कदम उठाने जा रही है। केंद्रीय मंत्री अश्विनी वैष्णव ने मंगलवार को बताया कि सरकार का लक्ष्य 2032 तक 3-नैनोमीटर नोड वाले छोटे और उच्च तकनीकी चिप विकसित करना है, जो स्मार्टफोन, कंप्यूटर और अन्य आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में इस्तेमाल हो सकें।

मंत्री के अनुसार, सरकार इस दिशा में डिजाइन-आधारित प्रोत्साहन (DLI) योजना के दूसरे चरण के तहत छह प्रमुख चिप श्रेणियों—कंप्यूट, रेडियो फ्रीक्वेंसी (RF), नेटवर्किंग, ऊर्जा, सेंसर और मेमोरी—पर विशेष ध्यान देगी। इसका मकसद यह है कि देश की कंपनियों को प्रौद्योगिकी उत्पादों के विकास पर लगभग 70–75 प्रतिशत नियंत्रण हासिल हो सके।

अश्विनी वैष्णव ने कहा, “डिजाइन का काम भारत में पहले से हो रहा है, लेकिन अब हमें विनिर्माण के स्तर पर 3-नैनोमीटर तक पहुंचना होगा। इस पहल से हमारे सेमीकंडक्टर डिजाइन क्षेत्र में समग्र और व्यापक विकास होगा।”

मंत्री ने बताया कि DLI योजना के तहत चयनित 24 चिप डिजाइन कंपनियों के साथ बैठक में उद्योग और शिक्षा जगत को नए विचार और समाधान लाने के लिए प्रेरित किया जाएगा। उनका कहना था कि जैसे-जैसे 2029 की ओर बढ़ेंगे, देश में 3-नैनोमीटर चिप के डिजाइन और निर्माण की बड़ी क्षमता तैयार हो जाएगी, जो लगभग सभी प्रमुख अनुप्रयोगों में इस्तेमाल हो सकेगी।

इस कदम से भारत को सेमीकंडक्टर विनिर्माण में आत्मनिर्भर बनने और वैश्विक तकनीकी प्रतिस्पर्धा में अपनी पकड़ मजबूत करने का अवसर मिलेगा।

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